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適用于SSD的異構DDR STT-MRAM控制器架構
隨著企業固態硬盤(SSD)在系統性能和更小的外形尺寸方面不斷突破極限，SSD解決方案提供商面臨著更大的挑戰。需要提高密度、耐用性、性能并添
2021-12-10
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STT-MRAM以優良的性能成為熱門的候選器件
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本
2021-12-08
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MCU市場應用和競爭
現今的MCU已經演變成為完整的系統級芯片(SoC)，微處理器內核的主頻從4M到200MHz不等;片上模擬模塊包括ADC、運放和DAC等;內置的存儲器包括Fl
2021-12-06
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新一代MRAM放眼更廣泛應用
在MRAM這類內存寫入時，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數據的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權衡。這
2021-12-02
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實現高速運行和低功耗的富士通8Mbit FRAM MB85R8M2T
鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數據的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內容。結合了ROM和RAM的優點，具有快速寫入速度、低
2021-11-26
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使用非易失性FRAM存儲器替換SRAM時的問題和解決方案
FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點，富士通新推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8MbitFRAM存儲
2021-11-23
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