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超低功耗ST-MRAM內存架構
目前有研究人員開發了一種新的超低功耗ST-MRAM架構，稱為Super Lattice ST-MRAM或SL-ST-MRAM。研究人員說，SL-ST-MARM同時實現了超高MR比，高速開關和低RA。
2020-03-26
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FLASH擦寫壽命流程
由于硬件成本原因，在許多嵌入式處理器中并沒有集成EEPROM 模塊，通常我們可以采用在片內Flash 存儲器中保存非易失性數據的應用方式來達
2020-03-24
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NAND Flash供不應求
根據集邦咨詢半導體研究中心最新調查，2019年第四季度的NAND Flash銷售總量季增近10%，市場開始出現逐漸供不應求。研究中心認為內存芯片市
2020-03-20
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MRAM代替DRAM可防止數據丟失
STT-MRAM具有出色的工藝微縮能力，并且可以很容易地整合到當前的晶圓工藝中。與需要不斷刷新的DRAM不同，STT-MRAM儲存數據并不需要消耗功率。用MRAM代替DRAM可以防止數據丟失
2020-03-18
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嵌入式MRAM適用于物聯網設備應用
MRAM技術自20世紀90年代以來一直在發展，但尚未取得廣泛的商業成功。三星研發中心的首席工程師認為現在是展示可制造和商業化的時候了。除了
2020-03-16
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用于工業應用的Everspin MRAM
Everspin的16兆位MR4A16BMA35 Toggle MRAM專為要求極高數據可靠性和速度的應用而設計，它具有市場上最快的非易失性存儲器，對稱的讀寫性能和無限的耐用性，從而使系統設計人員受益。
2020-03-12
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