FeRAM和 ReRAM代表了非易失性存儲技術領域內的兩項重要創新，旨在提供比傳統存儲解決方案（如 SRAM、DRAM 和 Flash）更高的性能和更小的尺寸。隨著便攜式系統市場在過去十多年間的迅速擴張，半導體產業對于大容量非易失性存儲器（NVM）技術的興趣日益濃厚。市場對更高效率、更快的內存訪問速度及更低功耗的需求，不斷推動著NVM技術的進步。據預測，全球非易失性存儲器市場規模在2024年達到約945.2億美元的基礎上，到2029年將擴大至1647.9億美元，其間將以11.76%的復合年增長率持續增長。
 
    FeRAM依賴鐵電材料的獨特性質進行數據存儲。該類存儲器以其超快的讀寫速度、出色的寫入耐久性以及較低的功耗特性而著稱。FeRAM的讀寫速度是納秒級，這遠超過NOR flash、EEPROM；讀寫次數達到10¹⁴、10¹³之多，在某種意義上相當于無限次，而EEPROM、NOR Flash一般都有次數的限制。基于這兩個特點，在實時寫入、掉電保護等、需要讀寫次數比較高的快速非易失性存儲的應用場景中（如智能卡、計量設備以及汽車中的事件數據記錄儀），FeRAM有著不可替代的絕對優勢。同時，FeRAM也可以替換EEPROM、SARM以及MRAM。
相比之下，ReRAM則利用材料電阻狀態的變化來保存信息，通過電流調整特定材料（例如氧化鉿）的電阻特性。在功能上，ReRAM類似于EEPROM規格，但內存容量更大、讀出功耗更低、尺寸更小，非常適合于助聽器等小型的電池驅動的可穿戴器件應用。
 
    近年來，ReRAM在全球范圍內受到了極大的關注，雖然ReRAM技術已經出現在一些芯片制造商的路線圖中，并且已有公司已經開始布局ReRAM相關的產品和服務，但是要實現大規模商用還需要克服一定的技術和市場挑戰。


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