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研究人員開發一種新的MRAM單元結構
來源：宇芯有限公司 日期：2020-04-17 09:54:17
MRAM存儲芯片可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車和工業，軍事及太空應用，這些對于MRAM存儲芯片開發人員來說是重要的部分。
東京工業大學的研究人員開發了一種新的MRAM單元結構，該結構依賴于單向自旋霍爾磁阻（USMR）。新的單元結構只有兩層。這可能導致成本更低的MRAM器件。
自旋霍爾效應導致電子在材料的側面以一定的自旋積累。通過將拓撲絕緣體與鐵磁半導體相結合，研究人員設法制造出具有巨型USMR的器件。
MRAM存儲芯片是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM存儲芯片具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效的特點。MRAM存儲器技術仍遠未實現其潛力，但是截至2020年初，市場上有從很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存儲芯片，并且公司正在將這種技術用于許多應用。宇芯有限公司代理行業翹楚Everspin MRAM存儲芯片.設計了多款校準方案，都在量產供貨中，獲得了大量用戶的認可。
Everspin MRAM存儲芯片
關鍵詞：everspin MRAM
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品，是一家專業提供存儲方案解決商。
東京工業大學的研究人員開發了一種新的MRAM單元結構，該結構依賴于單向自旋霍爾磁阻（USMR）。新的單元結構只有兩層。這可能導致成本更低的MRAM器件。
自旋霍爾效應導致電子在材料的側面以一定的自旋積累。通過將拓撲絕緣體與鐵磁半導體相結合，研究人員設法制造出具有巨型USMR的器件。
MRAM存儲芯片是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM存儲芯片具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效的特點。MRAM存儲器技術仍遠未實現其潛力，但是截至2020年初，市場上有從很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存儲芯片，并且公司正在將這種技術用于許多應用。宇芯有限公司代理行業翹楚Everspin MRAM存儲芯片.設計了多款校準方案，都在量產供貨中，獲得了大量用戶的認可。
Everspin MRAM存儲芯片
| 型號 | 容量 | 位寬 | 電壓(V) | 溫度 | 封裝 | MOQ /卷帶 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MR25H40CDC | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃to+85℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR20H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40 ℃to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H40MDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H10CDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H10MDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H10CDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H10MDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H256CDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H256MDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H256CDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H256MDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
關鍵詞：everspin MRAM
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