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    新型存儲器與傳統存儲器介質特性對比

    來源:宇芯有限公司 日期:2020-04-23 10:07:22

    目前新型存儲器上受到廣泛關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM),其中有以英特爾與美光聯合研發的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器ReRAM,目前暫無商用產品,其代表公司是美國的Crossbar。
     
    上述新型存儲器已被研究了近數十年,只是相對于早已產業化的隨機存儲sram、DRAM存儲器、和NAND Flash,還未能大規模商用。存儲器產業未來的技術發展方向仍是未知數。
     
    在非易失性MRAM存儲器方面,Everspin MRAM已經有產品應用于航空航天等特定領域,并于2019年開始與格芯合作,試生產28nm制程的1Gb STT-MRAM產品。ReRAM存儲器仍然尚未商用,初創公司如Crossbar則正致力于其產業化的進程。
     
    當前的新型存儲器尚不具備替代DRAM芯片或Nand閃存的能力,市場主要集中于低延遲存儲與持久內存。分別比較3種存儲的介質特性如下表所示。
     
     
    表 新型存儲及傳統存儲特性對比
     
    MRAM具有最好的讀寫速率和使用壽命,從理論上有機會替代現在的內存芯片和外存,但是由于涉及量子隧穿效應,大規模制造難以保證均一性,存儲容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進一步突破之前,宇芯電子代理的Everspin MRAM芯片的產品主要適用于容量要求低的特殊應用領域以及新興的IoT嵌入式存儲領域。


    Everspin STT-MRAM  1Gb
    Density Org. Part Number Speed Temp Rating Package Pack/Ship
    1Gb -- EMD4E001G08G2-150CAS2 667MHz Commercial 78-BGA Tray
    1Gb -- EMD4E001G08G2-150CAS2R 667MHz Commercial 78-BGA Tape & Reel
    1Gb -- EMD4E001G16G2-150CAS2 667MHz Commercial 96-BGA Tray
    1Gb -- EMD4E001G16G2-150CAS2R 667MHz Commercial 96-BGA Tape & Reel
    1Gb 128Mb x8 EMD4E001G08G1-150CAS1 667MHz Commercial 78-BGA Tray
    1Gb 128Mb x8 EMD4E001G08G1-150CAS1 667MHz Commercial 78-BGA Tape & Reel
    1Gb 64Mb x16 EMD4E001G16G2-150CAS1 667MHz Commercial 96-BGA Tray
    1Gb 64Mb x16 EMD4E001G16G2-150CAS1R 667MHz Commercial 96-BGA Tape & Reel

     
     
     關鍵詞:新型存儲器MRAM  MRAM  
     

    宇芯有限公司自成立以來,我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質,主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片,致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品,是一家專業提供存儲方案解決商。