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    低電壓SRAM的重要性

    來源:宇芯有限公司 日期:2020-06-02 10:14:05

    隨著SOC 技術的發展,CMOS 工藝尺寸不斷縮小,芯片集成度越來越高,使得單位面積芯片的功耗不斷提高。近年來,便攜式電子產品如智能手機、平板電腦、數碼相機、智能手環發展迅猛,而對于使用電池的便攜式電子產品,芯片的功耗會直接影響到電池的使用時間、使用壽命,功耗逐漸成為大規模集成電路設計中最關心的問題。Vilsion代理商宇芯電子介紹低電壓SRAM的重要性。
     
    CMOS 集成電路中的功耗由動態功耗、靜態功耗和短路功耗組成。各個功耗表達式如公式所示:
     
     
     
    其中,Pdynamic是電路電容充放電產生的動態功耗,與電源電壓成平方關系;Pleak是靜態功耗,即漏電流產生的功耗,與電源電壓成一次方關系;Pshort是電路的短路功耗,產生于NMOS、PMOS 同時導通的瞬間,同樣與電源電壓成一次方關系。由此可見降低電源電壓能夠直接有效地降低電路的功耗。
     
    SRAM的功耗包括動態功耗和靜態功耗,動態功耗和靜態功耗所占總功耗的比例不是一成不變的,其比例隨集成電路工藝的發展而變化。工藝每前進一個節點,MOSFET 漏電流大約增加5 倍。器件特征尺寸的減少,使得靜態功耗在電路總功耗中所占比例越來越大,同時也必然引起靜態泄漏電流的增加。據統計,在90nm 工藝下,IC 漏電流功耗大約占整個功耗的1/3,在65nm 工藝下,IC 漏電流功耗已經占總功耗的一半以上。由于動態功耗與電源電壓是平方的關系,靜態功耗與電源電壓是一次方關系,降低電源電壓能夠使得動態功耗和靜態功耗都得到大幅降低。


    VTI低功耗SRAM 4Mbit
    型號 位寬 容量 溫度 電壓 C/S Option 封裝
    VTI504NL16 256K x 16 4Mbit Industrial 3.3 1C/S 48BGA
    VTI504NL16 256K x 16 4Mbit Industrial 3.3 1C/S 44TSOP2
    VTI504HB16 256K x 16 4Mbit Industrial 5.0 2C/S 44TSOP2
    VTI504HL08 512K x 8 4Mbit Industrial 5.0 1C/S 32SOP
    VTI504HL08 512K x 8 4Mbit Industrial 5.0 1C/S 32TSOP2
    VTI504HL08 512K x 8 4Mbit Industrial 5.0 1C/S 32TSOP1
    VTI504HL08 512K x 8 4Mbit Industrial 5.0 1C/S 32sTSOP1
    VTI504NL08 512K x 8 4Mbit Industrial 3.3 1C/S 32TSOP1
    VTI504NL08 512K x 8 4Mbit Industrial 3.3 1C/S 32sTSOP1
    VTI504HL16 256K x 16 4Mbit Industrial 5.0 1C/S 44TSOP2
    VTI504NL08 512K x 8 4Mbit Industrial 3.3 1C/S 32SOP
    VTI504NL08 512K x 8 4Mbit Industrial 3.3 1C/S 32TSOP2
    VTI504NB16 256K x 16 4Mbit Industrial 3.3 2C/S 48BGA
    VTI504NB16 256K x 16 4Mbit Industrial 3.3 2C/S 44TSOP2


    關鍵詞:SRAM    低電壓SRAM
     
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