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    FRAM鐵電存儲器在汽車應用方面的優勢

    來源:宇芯有限公司 日期:2020-05-21 10:18:05

    相比于其他市場,汽車市場更為關注技術成熟度。目前FRAM在汽車行業的銷售數量已超過8億臺,技術已相當成熟,汽車行業的客戶完全可以對此放心無憂
     
    為什么要在汽車中使用“FRAM”?
     
    與EEPROM和FLASH非易失性內存相比,FRAM在EDR應用上有三大關鍵優勢。對于那些有精確時間要求的應用來說,FRAM會立即具備非易失性。這些應用在系統發生故障時,最重要的數據,如數據記錄器通常會面臨風險。FRAM擦寫周期為10E+14,而EEROM為10E+6,FLASH為10E+5,。因此FRAM是數據記錄器的理想選擇,其數據可持續寫入。FRAM的讀寫操作功耗低,對于具有獨立有限電源如電池或電容的應用來說,尤其具有高效性。
     
    FRAM更能適應外界溫度,這意味著工作溫度升高時,其擦寫周期和數據保留更能經受考驗。許多EEPROM耐溫為85°C,在耐溫要求為125°C的汽車應用中,耐擦寫能力會降到10E + 5,因此不適于汽車應用。
     
    大多數現有的EDR解決方案是將連續數據記錄到RAM緩沖區,只有在事故期間觸發安全氣囊展開算法時才轉移到非易失性內存。因此,如果事故幾乎致命,安全氣囊沒有打開,且電源缺失,碰撞數據將有可能不會保存到非易失性空間。這樣EDR就沒有最后一刻的數據,將無法進行事故還原。由于FRAM可以存儲最后一刻碰撞數據,且不需要任何外部電源,因而可以在這種情況下發揮關鍵作用。以下為FRAM在汽車應用方面的關鍵優勢:
     
    SRAM中接近無限次的擦寫周期:
     
    FRAM可以用作SRAM數據緩沖區。運行期間,控制器能直接在FRAM中連續記錄事故。FRAM是一種非易失性內存,掉電情況下也可保存數據。因此,即使主電源發生災難性的破壞,最后一刻數據也不會丟失。由于數據直接寫入FRAM,因此無需將最后一刻的數據從SRAM轉移到非易失性空間,如EEPROM或Flash中。使用FRAM,無需備用電源,即可保存最后一刻的碰撞數據。
     
     

    圖1:Cypress的FRAM擦寫周期與EEPROM和Flash的對比
     
    無寫延遲:
     
    某些事故需要每秒鐘記錄1000次,以捕捉每一個細節,這對于現有的EEPROM和基于Flash的EDR而言是個很大的挑戰。EEPROM通常是逐頁存儲數據,每兩頁之間需要幾毫秒的存儲時間延時,從而限制了數據記錄功能。FRAM的“無延遲”寫入功能,使系統設計師可以系統總線速度獲得和寫入實時數據。
     
    快寫和低功耗:
     
    FRAM擁有高速串行SPI和I2C接口及高速并行同步訪問,加之其一流的非易失性寫入速度,使得控制器可以用較少的時間將數據寫入FRAM。其功耗只是現有方案總功率的一小部分。
     

    圖2:Cypress的FRAM能耗與EEPROM和Flash的對比
     
    高可靠性:
     
    要實現精度、耐受性、可回收性及耐久性的目標,EDR的數據可靠性至關重要。由于此內存空間用來記錄關鍵的傳感器數據,因此汽車應用必須具備高可靠性和數據完整性。

     
    關鍵詞:FRAM   汽車應用FRAM
     

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