嵌入式內(nèi)存測(cè)試和修復(fù)的挑戰(zhàn)是眾所周知的，包括最大程度地?cái)U(kuò)大故障覆蓋范圍以防止測(cè)試失敗以及使用備用元件來最大程度地提高制造良率。隨著有前途的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲(chǔ)器，新的SoC級(jí)存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢(shì)來增強(qiáng)動(dòng)力，同時(shí)考慮了汽車應(yīng)用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測(cè)試和修復(fù)解決方案，設(shè)計(jì)人員需要考慮一些因素，例如在生產(chǎn)測(cè)試期間進(jìn)行修整的特殊需求，
 
除了在傳統(tǒng)存儲(chǔ)器中觀察到的常規(guī)卡死，過渡，耦合，地址解碼器和數(shù)百種其他故障類型之外，測(cè)試嵌入式STT-MRAM存儲(chǔ)器IP還需要考慮特定于體系結(jié)構(gòu)的故障，例如編程/擦除掩碼和扇區(qū)/芯片清除故障。因此，需要通過擴(kuò)展的基于March的算法類來檢測(cè)嵌入式STT-MRAM特定的故障，該算法具有用戶靈活性，可以指定多個(gè)背景圖案（例如，實(shí)心，棋盤格）以及各種尋址模式（例如，快速列，快速行）來確保最高的測(cè)試覆蓋率。由于嵌入式MRAM宏的大小很大，因此BIST引擎中需要使用具有較低復(fù)雜度的快速算法，以具有可接受的ATE生產(chǎn)/制造診斷測(cè)試時(shí)間。
 
對(duì)于汽車環(huán)境，SoC設(shè)計(jì)人員將需要具有靈活性，以在現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行其他可自定義算法，以匹配系統(tǒng)操作約束。表1顯示了如何在復(fù)雜的測(cè)試階段中需要執(zhí)行不同復(fù)雜程度的不同算法以匹配系統(tǒng)約束的示例。

表1：選擇存儲(chǔ)器測(cè)試算法的能力對(duì)于汽車等應(yīng)用很重要
 

內(nèi)存測(cè)試算法	SoC測(cè)試階段	并行內(nèi)存測(cè)試方案中的時(shí)鐘周期數(shù)（運(yùn)行時(shí)）	串行內(nèi)存測(cè)試方案中的時(shí)鐘周期數(shù)（運(yùn)行時(shí)）
測(cè)試算法1（低復(fù)雜度-8N）	任務(wù)模式	33,000 (0.066 ms)	80,000 (0.16 ms)
測(cè)試算法2（中等復(fù)雜度-16N）	開機(jī)/關(guān)機(jī)	57,000 (0.114 ms)	123,000 (0.246 ms)
測(cè)試算法3（高復(fù)雜度-55N）	ATE生產(chǎn)/制造測(cè)試	193,000 (0.386 ms)	383,000 (0.766 ms)

 
*資料來源ITC ：汽車SoC中用于嵌入式內(nèi)存和IP的高級(jí)功能安全機(jī)制
 
因此，BIST引擎必須支持?jǐn)U展的算法類別，以測(cè)試特定于MRAM的故障類型，提供靈活性以運(yùn)行不同的背景模式和尋址模式，并允許用戶配置為在SoC的多個(gè)測(cè)試階段中執(zhí)行不同的算法。
 

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