隨著半導體技術的飛速發展,各種存儲器相繼推出,性能不斷提高。目前存儲器主要有以下幾種類型:靜態RAM(SRAM),動態RAM(DRAM)EPROM,EEPROM，FLASH MEMORY。這里討論一種由普通SRAM、后備電池以及相應控制電路集成的新型存儲器:非易失性SRAM(NVSRAM)。
 
為解決SRAM的數據保存問題,國外著名半導體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產品,國內也有同類產品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產品，廣大用戶如何選擇質優價廉的產品呢?建議用戶根據以下幾個性能指標和價格進行選擇:
 
一、保護數據的可靠性:指系統上、掉電期間NVSRAM是否被誤寫,這是NVSRAM最重要的一項性能指標，也是用戶最關心而又難以在購買時測試的。雖然各廠家都聲稱自己的產品萬無一失保護數據,其實真正做到這一點的卻很少。大多數NVSRAM產品使用時會丟失數據,給用戶帶來很多問題和不便。這主要有以下幾個原因:上電無保護延時,上電期間丟失數據;掉電時主電源電壓下降快,保護電路不能快速將SRAM的供電從主電源切換到備用電池,或對SRAM的片選信號的封鎖不及時。
 
二、保護電壓:設置保護電壓主要是為了防止上.掉電期間數據的誤寫。對于用戶來說,在完全可靠保護數據的前提下,保護電壓越低越好。
 
三、上電保護延時:這是指系統上電時，當VCC高于保護電壓時,NV-SRAM延時多長時間才可以訪問。這個延時是必要的,因為VCC高于保護電壓時系統不一定正常工作,有可能正處于復位狀態或不確定狀態,極有可能誤定NVSRAM。NVSRAM內部電路加以必要的保護延時可以有效地防止上電期間的誤寫。用戶在使用NVSRAM時要注意產品的延時參數，系統工作時最好先測試一下NVSRAM是否已可以訪問;或在初始化程序中加一段延時程序。
 
四、使用溫度范圍:某些NVSRAM產品保護電壓會隨溫度變化而變化。如果使用NV-SRAM的系統要求的溫度范圍較大,則可以用以下辦法做簡單測試:將NVSRAM放在冰箱速凍室半小時左右,再立即插人系統使用，測試系統能否正常讀寫NV-SRAM。
 
五、訪問速度:各類NV-SRAM產品上都標有訪問速度，用戶可以根據自己應用系統的要求進行選擇。
 
六、功耗及使用壽命:國外產品都使用低功耗芯片,內部控制電路在系統正常工作時電流小于1mA,系統掉電時切換到電池供電,此時的電流僅為100nA左右。NV-SRAM都使用鋰電池作后備電源,由于鋰電池自耗電極低，NVSRAM的使用壽命一般可到十年左右。
 
七、價格:總的來說,國外產品價格昂貴,國內產品價格便宜,但是對于要丟失數據的芯片,即使價格再便宜,建議用戶也不要選用。


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