賽普拉斯FM25V02A-DG是采用先進鐵電工藝的256Kb非易失性存儲器。FRAM是非易失性的，類似于RAM一樣執行讀寫操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。封裝引腳采用8引腳雙扁平無引線（DFN）封裝。cypress代理宇芯電子支持提供相關技術支持。
 
引腳排列
   
與串行閃存和EEPROM不同，FM25V02A-DG以總線速度執行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數據輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品具有顯著的寫入耐久性。FM25V02A-DG能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使FM25V02A-DG非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用，例如數據記錄（可能是關鍵的寫入周期數）到要求嚴格的工業控制，而串行閃存或EEPROM的長時間寫入會導致數據丟失。。
 
FM25V02A-DG為串行EEPROM或閃存用戶提供了巨大的好處，可作為硬件的替代產品。FM25V02A-DG使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術的高速寫入能力。該設備包含一個只讀的設備ID，該ID允許主機確定制造商，產品密度和產品版本。器件規格在–40℃至+85℃的工業范圍內得到保證。
 
特征
■邏輯組織為32K×8的256-Kbit鐵電隨機存取存儲器（FRAM）
•高耐用性100萬億（1014）讀/寫
•151年數據保留
•NoDelay™寫道
•先進的高可靠性鐵電工藝
■非常快速的串行外圍設備接口（SPI）
•高達40MHz的頻率
•直接硬件替換串行閃存和EEPROM
•支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
■復雜的寫保護方案
•使用寫保護（WP）引腳的硬件保護
•使用禁止寫入指令的軟件保護
•適用于1/4、1/2或整個陣列的軟件塊保護
■低功耗
•在40MHz時有2.5mA有功電流
•150-μA待機電流
•8-μA睡眠模式電流
■低壓操作：VDD=2.0V至3.6V
■工業溫度：–40℃到+85℃
■引腳封裝
•8引腳雙扁平無引線（DFN）封裝
■符合有害物質限制（RoHS）
 
邏輯框圖