ISSI IS61C64AL系列是一種高速且低功耗的64K高速SRAM存儲芯片。它采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝與創新的電路設計技術相結合，以低功耗實現了10ns的訪問時間。當CE為高電平（取消選擇）時，器件采用待機模式，在該模式下，CMOS輸入電平的功耗可降至150µW（典型值）。通過使用一個芯片使能輸入CE，可以輕松擴展內存。有效的低寫入使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。
 
IS61C64AL高速訪問時間為10ns，具有1mW（典型）CMOS待機和125mW（典型）運行的CMOS低功耗操作。TTL兼容接口電平，該系列SRAM芯片完全靜態操作：無時鐘或刷新。IS61C64AL采用JEDEC標準28引腳、300-mil SOJ和TSOP封裝。代理商宇芯電子提供樣品測試及相關技術支持。
 
ISSI公司主要是以汽車和通信、數字消費以及工業和醫療市場設計開發和銷售的高性能集成電路的技術領導者。主要產品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。該公司還設計和銷售 NOR 閃存產品以及高性能模擬和混合信號集成電路。


關鍵詞： SRAM  高速SRAM IS61C64AL

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