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EMI504NL16VM-55IT可替代IS61WV25616EDBLL-10TLI高速低功耗異步SRAM
ISSI型號IS61WV25616EDBLL-10TLI是一種高速低功耗、容量4Mbit的SRAM存儲器，位寬256*12，采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工
2022-01-17
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MRAM能否使歐盟回到存儲器競爭的隊伍？
存儲器在電子系統中無處不在，而且用途廣泛：從存儲數據到緩存、緩沖，以及最近開發出的（存內）計算。存儲器的種類非常多：從發熱的快速易
2022-01-12
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Everspin代理256k非易失性MRAM-MR256A08BCYS35
Everspin型號MR256A08BCYS35是一個位寬32Kx8的MRAM存儲芯片。提供SRAM兼容的35ns讀 寫時序，具有無限的耐用性。數據在超過20年的時間里始終
2022-01-11
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DDR5內存缺貨漲價的原因
DDR5即將普及，卻面臨與芯片短缺同樣的局面：缺貨、漲價，不過與芯片短缺的原因不同，英特爾表示這是新技術升級的原因。11月底Intel發布了1
2022-01-10
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外擴SRAM芯片IS62WV51216ALL
ISSI IS62WV51216ALL是容量8M的高速SRAM，位寬為512K*16位。使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術
2022-01-06
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Everspin代理雙電源128Kx8非易失性MRAM-MR0D08BMA45
MR0D08BMA45是一種雙電源MRAM存儲器設備，容量為1Mbit。它支持從+1 65到+3 6伏的I O電壓。提供具有無限耐用性的SRAM兼容45ns讀 寫時序。超
2022-01-05
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