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FRAM鐵電存儲器比ADAS的傳統EEPROM擁有更多優勢
過去幾年,人們對自動駕駛汽車產生了極大的熱情。這的確在情理之中。自動駕駛汽車有望帶來影響深遠的好處:提高燃油效率、縮短行車時間、提
2021-12-07
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MCU市場應用和競爭
現今的MCU已經演變成為完整的系統級芯片(SoC),微處理器內核的主頻從4M到200MHz不等;片上模擬模塊包括ADC、運放和DAC等;內置的存儲器包括Fl
2021-12-06
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ISSI代理帶SQI接口串行SRAM芯片IS62WVS5128FBLL-20NLI
ISSI型號IS62WVS5128FBLL-20NLI是4M位串行SRAM,ISSI采用低功耗CMOS技術,位寬8*512K字節。它是兩個2Mb串行SRAM的雙芯片堆棧。串行SRAM旨在
2021-12-03
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新一代MRAM放眼更廣泛應用
在MRAM這類內存寫入時,組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓,使得數據的保存、寫入耐久性,以及寫入速度三者往往不可兼得,必須有所權衡。這
2021-12-02
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靈動微電子提供MM32F3270微控制器助力“中移OneOS代碼貢獻賽”
在中移OneOS代碼貢獻賽中,靈動微電子將提供MM32F3270微控制器助力此次競賽。靈動微電子成立于2011年,是中國本土領先的通用32位MCU產品及
2021-12-01
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實現高速運行和低功耗的富士通8Mbit FRAM MB85R8M2T
鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數據的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內容。結合了ROM和RAM的優點,具有快速寫入速度、低
2021-11-26
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