快閃存儲器芯片（NAND FLASH）
一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器
其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案
Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快
一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器
其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案
Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快
ISSI專門設計、開發(fā)、銷售高性能存儲半導體產品，用于Internet存儲器件、網絡設備、遠程通訊和移動通訊設備、計算機外設等。以下產品為NAND FLASH，屬于快閃存儲器芯片。產品容量為4Gb，工作電壓范圍為1.8~3.3V，提供48-TSOP的封裝形式，工作溫度范圍在-40°C~85°C。我司可根據(jù)客戶不同的產品需求推薦性價比高且實用的產品。
