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    DDR1 SDRAM
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    同步動態隨機存儲器芯片(Double Data Rate SDRAM)同步動態隨機存儲器芯片(Double Data Rate SDRAM)

    為雙信道同步動態隨機存取內存,是新一代的SDRAM技術。
    別于SDR(Single Data Rate)單一周期內只能讀寫1次,DDR的雙倍數據傳輸率指的就是單一周期內可讀取或寫入2次。
    在核心頻率不變的情況下,傳輸效率為SDR SDRAM的2倍
    UniIC代理商logo西安紫光國芯的核心業務是存儲器設計開發,自有品牌存儲器產品量產銷售,DDR SDRAM或雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器是在計算機和消費電子中廣泛使用的存儲器。它通過在時鐘信號的上升沿和下降沿處理數據的技術,實現了比單倍數據速率SDRAM更高的帶寬。以下產品容量為1Gb,電壓為2.5V,提供PG-TFBGA-60和TSOPII-66封裝形式。我司可根據客戶不同的產品需求推薦性價比高且實用的產品。
    型號 容量 位寬 電壓(V) 封裝 速度 溫度 PDF
    SCB25D1G800AF 1Gb 128x8 2.5V PG-TFBGA-60 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 聯系我們
    SCB25D1G160AE 1Gb 64x16 2.5V PG-TFBGA-60 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 聯系我們
    SCB25D1G800AE 1Gb 128x8 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 聯系我們
    SCB25D1G160AE 1Gb 64x16 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 聯系我們
    SCB25D1G800AE 1Gb 128x8 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 0℃~ 70 ℃ 聯系我們
    SCB25D1G160AE 1Gb 64x16 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 0℃~ 70 ℃ 聯系我們
    SCB25D1G160AF 1Gb 128x8 2.5V PG-TFBGA-60 DDR-266/333/400 0 ℃~ 70 ℃ 聯系我們
    SCB25D1G800AF 1Gb 64x16 2.5V PG-TFBGA-60 DDR-266/333/400 0 ℃~ 70 ℃ 聯系我們
    備注:如需了解更多關于產品資訊,請聯系我們 0755-2372 3970,我們竭誠為您服務。