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偽靜態隨機存儲器芯片（Psram）

PSRAM采用的是1T+1C的技術,所以在體積上更小,
同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。
比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。
由SPI、Quad SPI (QPI) 和Octal SPI (OPI)幾種串行接口，用于需要小型化的場合，
能夠提供帶寬范圍從100Mbps ~ 2.128Gbps的大范圍。

ISSI用0.25微米工藝技術生產最新進的pSRAM產品，產品都是由代工服務商代為生產，以下產品為PSRAM存儲芯片，屬于偽靜態隨機存儲器芯片，內部為DRAM核心外加SRAM接口，產品的容量范圍為1/4/8/16/32/64Mb，常用容量為32/64Mb，電壓范圍在1.8V/3.3V/5V.，我司可根據客戶不同的產品需求推薦性價比高且實用的產品。可兼容替換ISSI/CYPRESS/Lyontek/Renesas等品牌同類別PSRAM產品。

型號	容量	位寬	電壓(V)	速度(ns)	封裝(Pins)	PDF
IS66WVE4M16ALL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V	70	TFBGA(48)	聯系我們
IS66WVC4M16ALL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯系我們
IS66/67WVC4M16EALL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯系我們
IS66/67WVC4M16ECLL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯系我們
IS66WVD4M16ALL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯系我們
IS66/67WVE4M16EALL/EBLL/ECLL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	聯系我們
IS66/67WVE4M16TALL/TBLL/TCLL	64Mb	4Mx16	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	聯系我們
IS66/67WVC2M16EALL	32Mb	2Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯系我們
IS66/67WVC2M16ECLL	32Mb	2Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯系我們
IS66/67WVE2M16EALL/EBLL/ECLL	32Mb	2Mx16	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	聯系我們
IS66/67WV1M16EBLL	16Mb	1Mx16	1.7-1.95V	70	mBGA(48)	聯系我們
IS66/67WVC1M16EALL	16Mb	1Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯系我們
IS66WVD1M16ALL	16Mb	1Mx16	1.7-1.95V	70	VFBGA(54)	聯系我們
IS66/67WVE1M16EALL/EBLL/ECLL	16Mb	1Mx16	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	聯系我們
IS66/67WV51216EBLL	8Mb	512Kx16	1.7-1.95V	70	TSOP2(44),mBGA(48)	聯系我們
IS66/67WVE51216EALL/EBLL/ECLL	8Mb	512Kx16	1.7-1.95V/ 2.7-3.6V	70	TFBGA(48)	聯系我們

備注：如需了解更多關于產品資訊，請聯系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務。

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