低功耗同步動態隨機存儲器芯片（Mobile SDRAM）
較低的功率消耗及多樣的電壓支持選擇(1.8V,2.5V,3.0V)
體積更為縮小(FBGA)
更高的記憶體容量(768M/1G with DDP)
更高的工作速度(Mobile DDR 333Mbps)
較低的功率消耗及多樣的電壓支持選擇(1.8V,2.5V,3.0V)
體積更為縮小(FBGA)
更高的記憶體容量(768M/1G with DDP)
更高的工作速度(Mobile DDR 333Mbps)
JSC是一家擁有全球競爭力的專業移動專業公司。自從開發用于移動電話的低功耗SRAM以來，JSC半導體公司成功開發了移動RAM（CellularRam）和LP DDR SDRAM等新產品。以下產品為Mobile DDR2 SDRAM，屬于低功耗同步動態隨機存儲器芯片，產品的容量范圍為1Gb~2Gb，工作電壓為1.2V，最大工作頻率在400MHz,提供134B (10x11.5x1.0)封裝形式。我司可根據客戶不同的產品需求推薦性價比高且實用的產品。| 型號 | 容量 | 電壓 | 位寬 | Option | 最大工作頻率 | 封裝 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JSL252G168WNBQ-25E | 2Gb | 1.2V | x16 | mDDR2 | 400MHz | 134B (10x11.5x1.0) | 聯系我們 |
| JSL252G328WNBQ-25E | 2Gb | 1.2V | x32 | mDDR2 | 400MHz | 134B (10x11.5x1.0) | 聯系我們 |
| JSL2A2G168WSBQ-25E | 2Gb | 1.2V | x16 | mDDR2 | 400MHz | 134B (10x11.5x1.0) | 聯系我們 |
| JSL2A2G328WSBQ-25E | 2Gb | 1.2V | x32 | mDDR2 | 400MHz | 134B (10x11.5x1.0) | 聯系我們 |
| JSL2A1G168WSBQ-25E | 1Gb | 1.2V | x16 | mDDR2 | 400MHz | 134B (10x11.5x1.0) | 聯系我們 |
| JSL2A1G328WSBQ-25E | 1Gb | 1.2V | x32 | mDDR2 | 400MHz | 134B (10x11.5x1.0) | 聯系我們 |
