鐵電隨機存取存儲器(FRAM)是真正的非易失性RAM，結合了RAM和非易失性存儲器的優點。FRAM在寫入速度、耐用性和能效方面遠優于閃存/EEPROM。
 
源自浮柵技術的傳統非易失性存儲器使用電荷泵來開發片上高壓（10V或更高）以迫使載流子通過柵極氧化物。因此寫入延遲長，寫入功率高，寫入操作對存儲單元具有破壞性。浮柵器件不能支持超過10⁶次訪問的寫入。從這個角度來看，使用EEPROM以1個樣本/秒記錄數據的數據記錄器將在不到12天的時間內磨損。相比之下的FRAM產品提供幾乎無限的耐用性（10¹⁴次訪問）。
 
FRAM在寫入速度和功率方面都遠遠優于浮柵器件。對于時鐘頻率為20MHz的典型串行EEPROM，寫入256位（32字節頁面緩沖區）需要5毫秒，寫入整個64Kb需要1283.6毫秒。對于等效的FRAM，256位僅需14µs，寫入整個64Kb僅需3.25ms。將64Kb寫入EEPROM需要3900µJ，而將64Kb寫入FRAM需要17µJ，相差超過229個數量級。
 
賽普拉斯半導體提供全面的串行和并行FRAM（鐵電RAM）非易失性存儲器產品組合，可在斷電時立即捕獲和保存關鍵數據。在關鍵任務數據記錄應用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠車間的高性能可編程邏輯控制器 (PLC)，或以低功耗設計的植入人體生命的患者監護設備，小尺寸內存，Cypress FRAM提供即時非易失性和幾乎無限的耐用性，而不會影響速度或能源效率。FRAM的快速寫入速度和低能耗使其成為低功耗應用的理想選擇，例如電表、可穿戴電子產品和電池供電系統。更多賽普拉斯產品資料可咨詢宇芯電子。